Samsung 970 EVO Plus M.2 2 To PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe - Neuf

SSD 970 EVO Plus : Endurance et performances stratosphériques Le disque SSD 970 EVO Plus 2 Tode Samsung permet de métamorphoser les performances et la réactivité de votre machine. Bénéficant de vitesses revues à la hausse et d'une endurance très élevée par rapport aux SSD de générations précédentes, le Samsung 970 EVO Plus au format M.2 2280 s'appuie sur l'interface PCI-E 3.0 x4 ainsi que sur la technologie NVMe 1.3. Il est par ailleurs muni d'une mémoire TLC, d'un contrôleur Samsung Phoenix et de2 Go de mémoire cache LPDDR4. Le Samsung 970 EVO Plus M.2 PCIe 3.0 4x NVMe 1.3dans sa version 2 To transporte votre PC dans un autre niveau de performances grce à ses vitesses pouvant atteindre 3.5 Go/s en lecture et 3.3 Go/s en écriture. Le nombre d'opérations par secondes atteint un niveau impressionnant de 620 000 IOPS en lecture et 560 000 IOPS en écriture (4KB, QD32), de quoi lancer vos applications sans latence. Dépassez les limites Avecla gamme 970 EVO Plusvous assemblez une configuration pour des performances ultimes le tout avec un disque au format M.2 type 2280. Grce aux optimisations du firmware et la technologie Intelligent TurboWrite, il propose des vitesses jusqu'à 3500 Mo/s en lecture et 3300 Mo/s en écriture soit 53% de rapidité en plus suivant les modèles. Passez un nouveau cap La gamme 970 EVO Plusse dote d'uneinterface PCIe 3.0 x4 NVMe 1.3 et propose de la V-NAND 3-bit maison et un contrôleur Phoenix amélioré. Le disque peut atteindre des vitesses jusqu'à 3 500 Mo/s de lecture et jusqu'à 3300 Mo/s d'écriture sans faille (suivant les modèles) pour des temps de lancement raccourcis et des transferts toujours plus rapides. Une endurance exceptionnelle Les SSD 970 EVO Plus proposés par Samsung définissent un nouveau standard au niveau de l'endurance grce aux puces mémoires Samsung V-NAND 3-bit. La version 250 Go permet 150 To d'écriture tandis que la version 2 To atteint 1200 To. Ces SSD sont donc idéals pour booster les temps de démarrage et